AVX钽电容的耗散因数和损耗角正切

AVX钽电容的耗散因数（D.F.）。
耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。 DF值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。

AVX钽电容的损耗角正切（TAN）。
这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS（90 - ）是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。

耗散因数的频率依赖性
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的：

耗散与温度的关系
耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同®电容器。对于最高限额，请参阅的评分表。